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文档序号:12258007
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为了提供ESD耐量高的半导体装置,源布线(32a)在NMOS晶体管(30)的区域中设置在栅极(31)和源极(32)上。源布线(32a)将栅极(31)、源极(32)和接地端子电连接。漏布线(33a)在NMOS晶体管(30)的区域中设置在漏极(...
该专利属于精工电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过精工电子有限公司授权不得商用。
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