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本发明公开了一种垂测电离图反演方法，包括以下步骤：步骤1：建立电离层剖面数学模型，所述的模型为包含E层、谷层和F层的三层模型；步骤2：各层反射回波虚高的计算，基于建立的电离层模型，推导E层、F层回波虚高的计算公式；步骤3：利用实测电离图数据...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十二研究所授权不得商用。

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