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本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。该电阻式随机存取存储器包括第一电极层、第二电极层以及位于该第一电极层与该第二电极层之间的堆栈结构。该堆栈结构包括成分为HfOx的导电层与成分为HfOy的可变电阻层，其中x<y，且氧离子...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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