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本发明公开一种拓扑绝缘材料的制备工艺，包括以下步骤：第一步：构建闪锌矿型的HgTe的晶体结构，并进行结构优化以获得平衡晶格常数aeq；第二步：在平衡晶格常数aeq下，对HgTe的能带结构进行计算并加以分析；第三步：定义晶格扭曲参数λ，计算在...
该专利属于许昌学院所有，仅供学习研究参考，未经过许昌学院授权不得商用。

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