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本发明提供一种栅极及晶体管的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成栅极材料层;采用等离子刻蚀机对栅极材料层进行等离子刻蚀,以形成栅极;其中,等离子刻蚀的步骤包括:使等离子刻蚀机输出脉冲式功率,以对栅极材料层进行脉冲刻蚀。本发明还提供一种晶体...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种栅极及晶体管的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成栅极材料层;采用等离子刻蚀机对栅极材料层进行等离子刻蚀,以形成栅极;其中,等离子刻蚀的步骤包括:使等离子刻蚀机输出脉冲式功率,以对栅极材料层进行脉冲刻蚀。本发明还提供一种晶体...