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本发明提供一种FinFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个鳍片，在鳍片之间形成有隔离结构；实施臭氧清洗处理，以在鳍片的未被隔离结构遮蔽的表面形成氧化层；实施SiCoNi清洗处理，直至去除氧化层。根据本发明，通过...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。