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本发明公开了一种氧化铌平面靶材的制备方法，其步骤包括：1)粉体制备：将氧化铌粉体和金属铌粉体混合均匀并将粉体混合物的粒径研磨至50-200nm；2)粉体煅烧：对步骤1)中细磨后的粉体混合物进行真空煅烧；3)造粒：对步骤2)中煅烧后的粉体混合...
该专利属于北京冶科纳米科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京冶科纳米科技有限公司授权不得商用。

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