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本发明提供了一种GaAs基pHEMT器件及其制备方法。该器件包括由下至上依次层叠的GaAs衬底、缓冲层、第一AlGaAs势垒层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs势垒层和N+-GaAs层，沟道层与两个势垒层分别形成二维电子气，N+-GaA...
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