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硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器制造技术
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下载硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器的技术资料
文档序号:12177746
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本发明的硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器由两个固支梁栅NMOS管和一个恒流源构成,两个NMOS管的源极连接在一起,共同与下方恒流源相连,恒流源接地,两个NMOS管的栅极共同作为交流信号的输入端,两个NMOS管的漏极分别与电阻相接,...
该专利属于东南大学所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学授权不得商用。
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