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本发明提供一种改善SiC与SiO2界面态密度的方法，涉及一种微电子技术领域。该发明包括SiC外延片表面清洗；SiO2栅介质层生长；SiO2栅介质层的NO原位退火；形成底部衬底电极；衬底电极接触退火；形成栅电极。本发明采用NO气体对SiO2栅...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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