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本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由具有下式的至少一种前体沉积：R1nSi(NR2R3)mH4-m-n，其中R1独立地选自直链C1-C6烷基、支链C2-C6烷基、C3-C6环烷基、C2-C6烯基、C3-C6炔基和C...
该专利属于气体产品与化学公司所有，仅供学习研究参考，未经过气体产品与化学公司授权不得商用。

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