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本发明公开了一种可控晶体尺寸的DAST晶体生长工艺。该工艺通过三个基础步骤可以产生多种工艺的组合。其中，步骤A：DAST的甲醇溶液浓度为2.5-3.5wt%，主要是用于使DAST晶体沿a轴和b轴方向生长；步骤B：DAST的甲醇溶液浓度为1....
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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