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本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓异质MIS栅控结功率二极管及其制造方法。本发明采用刻蚀阳极肖特基金属下方的势垒层来耗尽肖特基金属下方中的二维电子气，通过在刻蚀出的凹槽中淀积绝缘介质和肖特基金属形成肖特基金属/绝缘介质/半导体(...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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