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本发明公开了一种ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZTO沟道层、纳米Al颗粒层和Al电极。其制备方法如下：先采用燃烧法制备ZTO前驱体，然后将前驱体溶液旋涂在Si/SiO2的S...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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