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一种具有金属柱的芯片封装结构及其形成方法。本发明通过在金属柱的底部形成连接于本体的外延部,加大了金属柱的底面积,该底面积为金属柱分别与介电层、以及该介电层暴露的电连接结构的接触面积,从而降低了金属柱底壁单位面积所分担的应力,避免了半导体衬底...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种具有金属柱的芯片封装结构及其形成方法。本发明通过在金属柱的底部形成连接于本体的外延部,加大了金属柱的底面积,该底面积为金属柱分别与介电层、以及该介电层暴露的电连接结构的接触面积,从而降低了金属柱底壁单位面积所分担的应力,避免了半导体衬底...