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本发明提供了一种用于等离子体处理腔室及其基台，其中，所述基台包括：基台基体，其中设置有冷却液通道；基台基体的上层结构包括：第二绝缘层，其中设置有加热器；以及直接设置于该第二绝缘层之上的第一绝缘层，其中设置有静电电极；其中，在所述基台基体的所...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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