下载一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法的技术资料

文档序号:12135822

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本发明公开一种氮化镓基半导体激光器,包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层,其中,多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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