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本发明公开串联ESD保护电路，具体地，本发明公开集成电路的静电放电(ESD)保护电路(图2A)。电路被形成在具有第一导电型的衬底(P-EPI)上。具有第二导电型的埋层(NBL 240)被形成在衬底的表面以下。第一端子(206)和第二端子(2...
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