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本实用新型提供了一种基于GaN的光电集成器件及其外延结构。光电集成器件包括由下而上依次层叠的衬底、成核层、GaN沟道层、AlGaN肖特基势垒层，AlGaN肖特基势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气，AlGaN肖特基势垒层上设有从AlGaN...
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