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一种基于晶界改性的高矫顽力低镝/铽钕铁硼磁体制造技术
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下载一种基于晶界改性的高矫顽力低镝/铽钕铁硼磁体的技术资料
文档序号:12110622
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本发明涉及一种提高钕铁硼磁体内禀矫顽力的材料,其特征在于在原磁体基础上引入一定量的Ag元素位于晶界,且基本消除了Fe元素在晶界的析出,其具有比未经改进的合金具有更高的内禀矫顽力,并且在相同矫顽力的情形下所需镝(铽)的量更少,从而实现提高内禀...
该专利属于江西理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过江西理工大学授权不得商用。
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