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本发明公开了一种硅基异质结电池片金属叠层的制作方法，包括：提供正面已沉积P-型非晶硅薄膜层，反面已沉积N-型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电氧化物层；在所述导电氧化物层上沉积沉积结合层，其中结合层为镍铜合金层；在所述镍铜合金...
该专利属于泉州市博泰半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泉州市博泰半导体科技有限公司授权不得商用。

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