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本发明涉及一种紫外光电器件的制备方法，具体是指一种基于Sm2O3/n-Si异质结构的紫外光电器件的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在N型Si（100）衬底上沉积一层Sm2O3薄膜，然后利用掩膜版在衬底和薄膜上沉积一层约50纳米厚的金（...
该专利属于浙江理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江理工大学授权不得商用。

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