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本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法,包括:1)将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体,并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯;2)将陶瓷素坯在真空、650℃~1050℃下加热裂解;3)将热裂解后...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法,包括:1)将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体,并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯;2)将陶瓷素坯在真空、650℃~1050℃下加热裂解;3)将热裂解后...