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本实用新型涉及一种鳍式场效晶体管，包括：衬底，所述衬底包括器件区域和熔丝区域；形成于所述器件区域上的FinFET结构；以及形成于所述熔丝区域上的e-fuse结构。在本实用新型提供的鳍式场效晶体管中，在传统的FinFET结构的基础上增加了能够...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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