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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，用于闪存中存储区栅极侧墙、高压区栅极侧墙和低压区栅极的制造，包括：提供形成存储区栅极侧墙前产品，包括衬底、存储区栅极、高压区栅极、低压区氧化层、以及低压区多晶硅层；在所述产品表面沉积牺牲氧化层；在所述牺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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