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本发明公开一种锂离子掺杂石墨烯忆阻器，自下而上依次有绝缘衬底、锂离子掺杂的石墨烯层及两个金属电极，或者自下而上依次有绝缘衬底、两个金属电极和锂离子掺杂的石墨烯层。其制备方法如下：1）将石墨烯转移至洁净的绝缘衬底上，再在石墨烯上制作金属电极，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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