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本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；旨在提供能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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