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半导体存储装置及NAND型快闪存储器的程序化方法制造方法及图纸
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文档序号:12056874
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本发明提供一种半导体存储装置及NAND型快闪存储器的程序化方法,具体包括存储器阵列100、分页缓冲/感测电路160、连接至外部输出入端的输出入缓冲器110、进行数据的错误检测修正的ECC电路120。程序化动作中,输出入缓冲器110将程序化数...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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