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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；对所述半导体衬底将形成埋层槽的区域执行多次离子注入，以在所述半导体衬底中形成埋层槽离子掺杂区域；在所述半导体衬底上外延生长半导体材料层，以覆盖所述半导体衬底；图案化半导体材料...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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