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本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，使得所述孤岛结构的边缘硅表面低于中央区域；在所述第一硅片上形成键合氧化层，该键合氧化层在孤岛结构的边...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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