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本发明一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法,属于微电子与固体电子学、纳米科学技术领域。利用电子束曝光技术，在基底金属层上打开一个正方形掩膜窗口。利用热氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层进行氧化，具体工艺条件为：置于烘箱150～200℃加...
该专利属于北京空间飞行器总体设计部所有，仅供学习研究参考，未经过北京空间飞行器总体设计部授权不得商用。

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