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本发明提供了一种低成本半导体器件制造方法和使用该方法制造的半导体器件。该方法包括：在半导体衬底中形成多个本体区；在本体区中形成多个栅极绝缘层和多个栅电极；在衬底的整个表面中实施毯式离子注入以在不具有掩模的情况下在本体区中形成低浓度掺杂区(L...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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