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本发明是一种提高LED亮度的双缓冲层横向外延生长方法，包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一AlxGa1-xN buffer缓冲层，其中0≤x≤1；2)高温生长一层具有六角锥形的阵列微坑第一U-GaN层；3)在NH3环境中...
该专利属于西北工业大学明德学院所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学明德学院授权不得商用。

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