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一种栅介质层的形成方法和MOS晶体管的形成方法。其中，所述栅介质层的形成方法包括：提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成界面层；在所述界面层上形成金属层；在所述金属层上形成高K介质层；进行退火处理，所述界面层与所述第一半导体衬底接触...
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