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本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530-580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核层，之后升高温度并依...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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