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本申请提供一种VDMOS器件的制造方法包括在衬底的外延层表面形成沟槽，在所述沟槽内沉积体内氧化层，在所述外延层之上形成栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界，在所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化层的相对两侧形成源极...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十七研究所授权不得商用。

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