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本发明公开了一种吸除硅材料中金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，功率为1～2000W，时间为1～60min，在硅晶片或硅器件表面形成缺陷区的同时将硅中的金属杂质吸至表面。该方法在室温下进行，且不需要伽...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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