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本发明公开了一种降低集成电路多层金属间孔链电阻的通孔刻蚀方法，首先在相邻两层金属的下层金属上生长钛、氮化钛及金属层间氧化层介质，完成平坦化工艺后，涂覆光刻胶，然后曝光、显影形成通孔层的光刻图形；其次完成通孔刻蚀工艺的第一次干法刻蚀，即二氧化...该专利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所授权不得商用。