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一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该制作方法包括：在衬底基板上制作形成栅极；在栅极上制作形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上制作形成半导体层、像素电极层、源极、漏极以及沟道保护层，其中半导体层和像素电极层由透明的金属氧化物半导体膜层在同...
该专利属于昆山龙腾光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山龙腾光电有限公司授权不得商用。

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