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一种可以提高光效的半导体发光器件，包括：衬底，形成于所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；所述N型氮化镓层表面形成有若干个间隔布置的凹坑，N型氮化镓层上单位面积内分布的凹坑的面积小于10％。本实用新型在量子阱生长前通过引入有规律分...
该专利属于扬州德豪润达光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州德豪润达光电有限公司授权不得商用。

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