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本实用新型公开了一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅，它包括光纤纤芯和包层，光纤纤芯和包层上横向等间距阵列有调制幅度的刻痕，所述刻痕由紫外激光刻写形成，位于光纤纤芯中心的刻痕的深度最深，其它刻痕以位于光纤纤芯中心的刻痕为中心向两侧对称分布，刻...
该专利属于长飞（武汉）光系统股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长飞（武汉）光系统股份有限公司授权不得商用。

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