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本发明提供一种ESL型TFT基板结构及其制作方法。该ESL型TFT基板结构中，蚀刻阻挡层(5)对应氧化物半导体层(4)的两侧分别设有第一过孔(51)、与第二过孔(52)；漏极(6)经由第一过孔(51)接触氧化物半导体层(4)；钝化保护层(7...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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