温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种含有扩散阻挡层的GaN基复合衬底，包括[导热导电]转移衬底，位于该转移衬底上的扩散阻挡层、及扩散阻挡层上的[导热导电]键合介质层和[转移后的]GaN基外延薄膜。本实用新型复合衬底，兼顾以往转移衬底技术实现的复合衬底具备的适...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。