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本发明提供一种MiS电容器结构及其制造方法，该制造方法包括：提供两侧具有浅槽隔离的衬底，通过N+/P+注入定义有源区；在有源区表面淀积屏蔽层并图形化，屏蔽层在一端将其与浅槽隔离之间的有源区露出；在当前结构上方淀积金属层和抗反射层；作快速热退...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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