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本发明公开了一种有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法。包括以下步骤：将待反应硅片置于去除氧气后的R1盐溶液中搅拌加热，得到R1/Si含能芯片；将步骤1中得到的含能芯片清洗后加入到DMF中，加入K2CO3搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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