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本发明提供了一种半导体器件的缺陷检测方法，包括：在形成有氧化层的衬底表面生长金属层，所述金属层位于所述氧化层的上方；在所述金属层的表面涂覆光刻胶，以形成对所述金属层中无缺陷区域的保护层；依次对涂覆有所述光刻胶的衬底进行金属层蚀刻和氧化层蚀刻...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。