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本发明提供一种N型低偏角碳化硅外延片的制备方法，包括以下步骤：衬底的准备、在线刻蚀衬底、缓冲层的生长和外延层的生长，其中外延层的生长采用了“生长、刻蚀、吹拂、再生长”的方法。该方法在生长N型低偏角碳化硅外延片的过程中，有效地降低基面位错密度...该专利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司授权不得商用。