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本发明公开了一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al/ZnO异质pn结二极管，...
该专利属于天津职业技术师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津职业技术师范大学授权不得商用。

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