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一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法技术
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下载一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法的技术资料
文档序号:11873652
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本发明提供一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法,属于化工技术领域。该方法将醋酸盐、硫粉和油相溶剂混合,得到混合溶液;将得到的混合溶液以10~30℃/min的速度加热到200~260℃,并保持此温度10~120min,形成混合液...
该专利属于吉林师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过吉林师范大学授权不得商用。
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