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本发明提供一种在厚硅片上制备FS-IGBT的方法，用以解决中低压FS-IGBT制备过程中，薄硅片带来的制备工艺复杂、难度大，硅片翘曲、变形、碎片，硅片的大小受到限制、良品率低、成本高，难以实现产业化的问题，以及在后续晶圆的划片和芯片的封装中...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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